Зеленый микропорошок карбида кремния (GC) для полировки кремниевых полупроводниковых пластин.
1. Обзор продукта
2. Основные свойства для обработки кремниевых пластин
- Сверхвысокая чистота, сверхнизкое содержание металлических примесей.SiC ≥99,0%, Fe₂O₃ ≤0,05%, магнитные вещества <15 ppm, минимальное содержание свободного углерода и тяжелых металлов. Отсутствие металлических загрязнений на кремниевых пластинах предотвращает снижение тока утечки и времени жизни носителей заряда в чипах.
- Соответствующая твердость и самозатачивающаяся кристаллическая морфологияТвердость по шкале Мооса 9,2–9,5, острые равноосные многогранные зерна. Обеспечивает баланс между высокой скоростью удаления материала и неглубоким повреждением подповерхностного слоя по сравнению с черными абразивами из карбида кремния и оксида алюминия.
- Отличная химическая инертность и термическая стабильность.Нерастворим и не вступает в реакцию с кислотно-щелочными полировальными жидкостями; высокая теплопроводность быстро рассеивает тепло трения, предотвращая термические напряжения, деформацию и микротрещины пластины во время высокоскоростной притирки.
- Контролируемое узкое распределение частиц по размерамСтрогая классификация исключает наличие крупных зерен, предотвращает случайные царапины на поверхности, стабилизирует общее изменение толщины пластины (TTV) и обеспечивает однородность шероховатости.
3. Типичный химический индекс порошка для газовой хроматографии полупроводникового класса.
| Индекс | Стандартные требования |
|---|---|
| Содержание SiC | ≥99,0% |
| Fe₂O₃ | ≤0,05% |
| Свободный углерод (ЗУ) | ≤0,10% |
| Магнитная материя | ≤0,015% |
| Примесь SiO₂ | ≤0,20% |
| Тяжелые металлы (Pb, Cd, Cr, Ni) | Общее содержание <20 ppm |
4. Стандартный выбор зернистости для полировки кремниевых пластин.
| Размер зерна | Типичный размер частиц D50 | Сценарий применения |
|---|---|---|
| GC 600# | ~22 мкм | Грубая притирка, тщательное удаление повреждений от пилы. |
| GC 800# | ~16 мкм | Промежуточная грубая притирка |
| GC 1200# | ~12 мкм | Нарезка проволоки из кремниевых слитков, средняя притирка. |
| GC 1500# | ~8 мкм | Тонкая шлифовка тонких полупроводниковых пластин |
| GC 2000#–6000# | 1–5 мкм | Сверхтонкая предварительная полировка, снятие фаски с кромки, доработка. |
5. Принцип работы полировальной суспензии ГХ.
Смешайте высокочистый микропорошок GC с деионизированной водой или ПЭГ-носителем для образования суспензии полировальной суспензии. Под давлением между притирочной пластиной и кремниевой подложкой частицы GC прокатываются и микрорезают поверхность кремния, равномерно удаляя неровности и обеспечивая выравнивание без глубокого разрушения кристаллической решетки. После притирки подложки проходят многоступенчатую очистку для удаления остаточных частиц SiC перед химико-механической полировкой (CMP).