Зеленый карбид кремния использовался как материал выбора в высокопроизводительных промышленных приложениях. Оптимизация производства и сырья привела к применению SiC в новых и растущих отраслях, таких как фотоэлектричество, полупроводники и фильтрация.
| ТИПИЧНЫЙ ХИМИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ | |
| SiC | ≥99,05% |
| SiO2 | ≤0,20% |
| Ф, Си | ≤0,03% |
| Fe2O3 | ≤0,10% |
| ФК | ≤0,04% |
| ТИПИЧНЫЕ ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА | |
| Твёрдость: | Моос: 9,5 |
| Температура плавления: | Возвышенное при 2600 ℃ |
| Максимальная рабочая температура: | 1900℃ |
| Удельный вес: | 3,20-3,25 г/см3 |
| Насыпная плотность (LPD): | 1,2-1,6 г/см3 |
| Цвет: | Зеленый |
| Форма частиц: | Шестиугольный |
| Доступный размер： | |
| Зернистость: 4# 5# 6# 8# 10# 12# 14# 16# 20# 22# 24# 30# 36# 40# 46# 54# 60# 70# 80# 10# 12# 14# 16# 20# 22# 24# 30# 36# 40# 46# 54# 60# 70# 80# 90# 100# 120# 150# 180# 220# Микропорошок: IT: 240# 280# 320# 360# 400# 500# 600# 700# 800# 1000# 1200# 1500# 2000# 2500# 3000# 4000# 6000# 8000# 10000# FEPA: F230 F240 F320 F360 F400 F500 F600 F800 F1000 F1200 F1500 F2000 | |
Карбид кремния (SiC) — растущая альтернатива кремниевым электронным компонентам, особенно в широкозонных приложениях. Материал предлагает уникальное сочетание большей энергоэффективности, меньшего размера, меньшего веса и меньшей общей стоимости систем. В настоящее время растет спрос на порошки карбида кремния высокой чистоты для электронной и полупроводниковой промышленности.