Зеленый порошок карбида кремния (SiC) — это высокочистый синтетический абразивный материал, широко используемый в прецизионных полировальних приложениях, включая полировку оптического волокна . Его исключительная твердость (9,5 по шкале Мооса), острая морфология частиц и химическая стабильность делают его пригодным для получения сверхгладких поверхностей с минимальным повреждением подповерхности.
Основные свойства полировки оптического волокна:
Высокая чистота (≥99%) – минимизирует риск загрязнения во время полировки.
Контролируемый размер частиц (например, 0,5–10 мкм) — тонкие фракции обеспечивают гладкую поверхность без царапин.
Однородная форма частиц – острые, угловатые зерна повышают скорость съема материала, сохраняя точность.
Химическая инертность – устойчив к реакциям с полировальными растворами или волокнистыми материалами.
Применение в производстве оптического волокна:
Этапы предварительной полировки : удаление крупных дефектов перед окончательной полировкой.
Составы суспензий : смешиваются с водой или маслами для обеспечения однородной эффективности полировки.
Финишная обработка сердцевины/оболочки : помогает добиться низкой шероховатости поверхности (<1 нм) для минимальной потери сигнала.
Преимущества перед другими абразивами:
Твёрже, чем оксид алюминия (Al₂O₃) , но менее агрессивен, чем алмаз, что снижает риск чрезмерной полировки.
Более теплопроводен, чем кремний , что способствует рассеиванию тепла во время полировки.
Более низкая стоимость по сравнению с алмазными абразивами при сохранении высокой точности.
Рекомендуемые марки для полировки волокон:
F800–F1200 (1–10 мкм) : для промежуточной полировки.
F2000–F4000 (субмикронный) : для сверхтонкой отделки.
Соображения:
Концентрация суспензии : Обычно 5–20% SiC в водных или гликолевых носителях.
Давление и скорость полировки : оптимизированы для предотвращения ломкости волокон и появления микротрещин.
Для окончательной полировки в критических случаях после обработки SiC можно использовать коллоидный диоксид кремния или оксид церия, чтобы добиться гладкости на атомном уровне.